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元件参数资料
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参数目录39303
> SPP04N60C3 MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-220AB
型号:
SPP04N60C3
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Infineon Technologies
描述:
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-220AB
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
SPP04N60C3 PDF
产品培训模块
CoolMOS™ CP Switching Behavior
CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
产品目录绘图
MOSFET TO-220(AB), TO-220-3
标准包装
500
系列
CoolMOS™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
650V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
4.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
950 毫欧 @ 2.8A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
3.9V @ 200µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
25nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
490pF @ 25V
功率 - 最大
50W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商设备封装
PG-TO220-3
包装
管件
产品目录页面
1615 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
SP000013534
SP000013534
SP000681024
SPP04N60C3IN
SPP04N60C3X
SPP04N60C3XK
SPP04N60C3XTIN
SPP04N60C3XTIN-ND
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